IPP120N08S403AKSA1 vs FDP100N10 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP120N08S403AKSA1 بذریعہ Infineon اور FDP100N10 بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP120N08S403AKSA1 FDP100N10
برانڈ Infineon onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 120 A —
Pulsed Drain Current (bondwire-limited) 245 A at 25 C —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 278 W (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max —
Total Gate Charge (Qg) 167 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11550 pF —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.54 K/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1) TO-220-3 (TO-220AB)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
MSL لیول MSL1 (peak reflow up to 260 C) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Rating 100% avalanche-tested —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Green Product) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Channel Type N-Channel enhancement mode —
Technology Family OptiMOS —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 75 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on) Max) — 10 mOhm
Power Dissipation (PD) — 208 W (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS Max) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th) Max) — 4.5 V @ 250 uA
Technology — PowerTrench MOSFET
Configuration — Single MOSFET
Product Series — PowerTrench
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
ماؤنٹنگ اسٹائل — Through Hole / TO-220AB package
Manufacturer — Fairchild Semiconductor (onsemi)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: gate charge]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں