IRFB3207ZPBF vs IPP069N20NM6AKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon اور IPP069N20NM6AKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFB3207ZPBF IPP069N20NM6AKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A 136 A
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج TO-220AB (3-lead through-hole) PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
MSL لیول N/A (through-hole) N/A (through-hole package)
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
Tab Connection — Electrically connected to Drain

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں