IRFB3207ZPBF vs IPP069N20NM6AKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFB3207ZPBF توسط Infineon و IPP069N20NM6AKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFB3207ZPBF IPP069N20NM6AKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A 136 A
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی TO-220AB (3-lead through-hole) PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
سطح MSL N/A (through-hole) N/A (through-hole package)
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
محدوده دمای کاری — -55C to +175C
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Tab Connection — Electrically connected to Drain

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت