IRFR5410TRPBF vs BSC060P03NS3EGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR5410TRPBF بذریعہ Infineon اور BSC060P03NS3EGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFR5410TRPBF | BSC060P03NS3EGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | -13 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | 205 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 70 nC | — |
| پیکیج | TO-252AA (DPAK), surface mount | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | 66 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55°C to +150°C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (advanced process, Gen 5) | OptiMOS™ P-channel Trench |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RDS(on) Test Conditions | VGS = -10 V, ID = -7.0 A | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 17.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 6 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | -2.5 V |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | — | 81 nC |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.02 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 2.81 nF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 220 pF |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |