IRFZ44NSTRLPBF vs IRLZ34NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ44NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLZ34NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ44NSTRLPBF IRLZ34NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263) TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
MSL لیول — Not applicable (through-hole)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں