ISC300N20NM6ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC300N20NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH35N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC300N20NM6ATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 200V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 6.5 A 66 A
Power Dissipation (PD) at TC 136 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 27 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V —
پیکیج PG-TDSON-8 PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Operating Mode Enhancement —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
MSL لیول — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں