JMTG100N06A vs DMN3190LDW-7 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از JMTG100N06A بذریعہ Jiejie Micro اور DMN3190LDW-7 بذریعہ Diodes Incorporated. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363
DMN3190LDW-7 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | JMTG100N06A | DMN3190LDW-7 |
|---|---|---|
| برانڈ | Jiejie Micro | Diodes Incorporated |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Power Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current I(D) | 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) | — |
| R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V | 7.7 mΩ | — |
| R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V | 8.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ | 1.5 V | — |
| پیکیج | PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) | SOT-363 (SC-70-6) 6-pin |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Plating | Pb-free | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| UIS (Avalanche) Tested | 100 % | — |
| V(DS) Tested | 100 % | — |
| EAS Test Condition | T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A | — |
| Primary Applications | Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive | — |
| FET Type | — | Dual N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 320 mW |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Dual, independent drains |
| Technology | — | Silicon N-Channel MOSFET |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Factory Pack Quantity | — | 3000 |