JMTG100N06A vs DMN3190LDW-7 So sánh
So sánh chi tiết song song của JMTG100N06A bằng Jiejie Micro và DMN3190LDW-7 bằng Diodes Incorporated. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363
DMN3190LDW-7 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | JMTG100N06A | DMN3190LDW-7 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Jiejie Micro | Diodes Incorporated |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd | — |
| Kiểu transitor | N-Channel Power Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current I(D) | 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) | — |
| R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V | 7.7 mΩ | — |
| R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V | 8.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ | 1.5 V | — |
| Hộp | PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) | SOT-363 (SC-70-6) 6-pin |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Plating | Pb-free | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| UIS (Avalanche) Tested | 100 % | — |
| V(DS) Tested | 100 % | — |
| EAS Test Condition | T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A | — |
| Primary Applications | Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive | — |
| FET Type | — | Dual N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 320 mW |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Dual, independent drains |
| Technology | — | Silicon N-Channel MOSFET |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Cấp MSL | — | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Factory Pack Quantity | — | 3000 |