K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G045WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gb —
Memory Organization 512M x 16 —
انٹرفیس Parallel (DDR4 SDRAM bus) CMOS, differential clock (CK/CK#)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) —
Technology CMOS, B-die 8Gb die —
پیکیج 96-ball FBGA (PBGA96) 78-ball FBGA (PBGA78)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +95C 0 C to 85 C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC / CA Parity CRC function supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) —
Density — 8 Gb
تنظیم — 2G x 4
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
Refresh Cycles — 8192
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں