K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NDJR-XNC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور H5AN8G6NDJR-XNC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WC-BCRC H5AN8G6NDJR-XNC
برانڈ Samsung Electro-Mechanics SK hynix
زمرہ EEPROM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $19.69 $55.68
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit 8 Gb
تنظیم 512M x 16 —
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps 3200 Mbps
Clock Frequency 1333 MHz —
سپلائی وولٹیج 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
انٹرفیس Parallel, 16-bit DDR —
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0 C to +95 C —
پیکیج 96-FBGA (TFBGA) FBGA-96 (13x7.5 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
خصوصیات Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Memory Organization — 512M x16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (max 1.26 V)
Number of Terminals — 96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Input/Output Type — COMMON
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں