K4B4G1646E-BCNB vs K4B4G1646E-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BCNB بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BCNB | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $13.52 | — |
| میموری ٹائپ | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | 0°C to +95°C (TC) |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| انٹرفیس ٹائپ | Parallel | — |
| Refresh | 8K / 64 ms | — |
| Burst Length | 8, 4 (fixed) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| Write Recovery Time | [DATA_NEEDED: tWR] | — |
| Row Cycle Time | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | [DATA_NEEDED: tRCD] | — |
| Row Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRP] | — |
| Active to Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRAS] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |