K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-BF70 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-BF70T بذریعہ Samsung Electronics اور K6X0808C1D-BF70 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ فعال
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 ✗ اختتامِ زندگی

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال اختتامِ زندگی
میموری ٹائپ SRAM - Asynchronous Asynchronous SRAM (CMOS)
میموری سائز 256 Kbit —
Memory Organization 32K x 8 —
Memory Interface Parallel —
Access Time 70 ns 70 ns
Write Cycle Time - Word, Page 70 ns —
Voltage - Supply 4.5 V to 5.5 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +85C (TA) 0C to +70C (commercial grade, BF suffix)
پیکیج 28-SOP 28-SOP (PDSO28)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Process Technology CMOS —
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) —
ڈیٹا بس چوڑائی 8 bit (I/O0-I/O7) —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
I/O Compatibility TTL compatible —
Refresh Requirement None (fully static operation) —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Density — 256 Kbit
تنظیم — 32K x 8
انٹرفیس — Parallel
Technology — CMOS
سپلائی وولٹیج — [DATA_NEEDED: Supply Voltage]
Operating Current (active) — [DATA_NEEDED: Operating Current]
Standby Current (CMOS) — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Data Retention — Volatile (battery-backup capable with CE control)
I/O Type — Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7)
Address Bus — A0-A14 (15 address lines)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں