K6X1008C2D-TF55 vs K6X0808C1D-BF55 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X1008C2D-TF55 بذریعہ Samsung Electronics اور K6X0808C1D-BF55 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 ✗ اختتامِ زندگی
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X1008C2D-TF55 K6X0808C1D-BF55
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت اختتامِ زندگی فعال
میموری ٹائپ SRAM - Asynchronous Asynchronous SRAM
میموری سائز 1 Mbit 256 Kbit
تنظیم 128K x 8 32K x 8
Access Time (tAA) 55 ns —
انٹرفیس Parallel Parallel
Supply Voltage (Vcc) 4.5 V to 5.5 V —
Operating Current 35 mA [DATA_NEEDED: operating current]
Technology Low Power Full CMOS CMOS
پیکیج 32-TSOP REVERSE 28-SOP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Speed Options 55 ns, 70 ns —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Memory Format Volatile (SRAM) SRAM
Clock Frequency N/A (asynchronous) N/A (asynchronous)
RoHS اسٹیٹس RoHS: Yes (per distributor listing) unknown
Access Time — 55 ns
سپلائی وولٹیج — 5 V
Control Signals — CE, OE, WE
Refresh — Not required (static memory)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں