K6X1008C2D-TF55 vs K6X0808C1D-BF55 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K6X1008C2D-TF55 توسط Samsung Electronics و K6X0808C1D-BF55 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ پایان تولیدSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K6X1008C2D-TF55 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | پایان عمر محصول | فعال |
| نوع حافظه | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| اندازه حافظه | 1 Mbit | 256 Kbit |
| سازمان | 128K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time (tAA) | 55 ns | — |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (Vcc) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Operating Current | 35 mA | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Technology | Low Power Full CMOS | CMOS |
| بسته‌بندی | 32-TSOP REVERSE | 28-SOP |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Options | 55 ns, 70 ns | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Memory Format | Volatile (SRAM) | SRAM |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| وضعیت RoHS | RoHS: Yes (per distributor listing) | unknown |
| Access Time | — | 55 ns |
| ولتاژ تغذیه | — | 5 V |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Refresh | — | Not required (static memory) |