M29W128GL70N3E vs M29W064FT70N3E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W128GL70N3E بذریعہ Micron Technology اور M29W064FT70N3E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W128GL70N3E M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W128GL70N3E M29W064FT70N3E
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Flash Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Parallel)
Density 128 Mbit 64 Mbit
تنظیم 16M x8 / 8M x16 8 Mb x8 or 4 Mb x16
Access Time 70 ns 70 ns
سپلائی وولٹیج 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) 2.7 V to 3.6 V
انٹرفیس Parallel Parallel, CFI compliant
Boot Block Configuration Bottom boot (GL suffix) —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C -40C to +85C
پیکیج 56-pin TSOP 48-TSOP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Automotive Qualification Automotive grade ordering code (N3E) —
Bus Width Mode Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Boot Block Architecture — Top boot block (FT)
Programming Voltage — Single 3 V supply (no separate VPP required)
Erase/Program Method — Command-set page programming, block erase
Product Longevity Program — No
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read supply current]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں