M29W128GL70N3E vs M29W064FT70N3E So sánh

So sánh chi tiết song song của M29W128GL70N3E bằng Micron Technology và M29W064FT70N3E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29W128GL70N3E M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29W128GL70N3E M29W064FT70N3E
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Flash Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Parallel)
Density 128 Mbit 64 Mbit
Tổ chức 16M x8 / 8M x16 8 Mb x8 or 4 Mb x16
Access Time 70 ns 70 ns
Điện áp cung cấp 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) 2.7 V to 3.6 V
Giao diện Parallel Parallel, CFI compliant
Boot Block Configuration Bottom boot (GL suffix) —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +85C
Hộp 56-pin TSOP 48-TSOP
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Automotive Qualification Automotive grade ordering code (N3E) —
Bus Width Mode Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Trạng thái RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Boot Block Architecture — Top boot block (FT)
Programming Voltage — Single 3 V supply (no separate VPP required)
Erase/Program Method — Command-set page programming, block erase
Product Longevity Program — No
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read supply current]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá