MT41K256M16TW-107 vs K4A8G165WB-BCPB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16TW-107 بذریعہ Micron Technology اور K4A8G165WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K256M16TW-107 | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $14.10 | — |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 512M x 16 |
| انٹرفیس | Parallel | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | — |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bit | — |
| پیکیج | 96-FBGA (8x14 mm) | 96FBGA (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0C to +85C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per Lisleapex listing) |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |