MT41K256M16TW-107 vs K4A8G165WB-BCPB השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K256M16TW-107 מאת Micron Technology ו K4A8G165WB-BCPB מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K256M16TW-107 | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $14.10 | — |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 512M x 16 |
| ממשק | Parallel | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| מתח אספקה | 1.35 V | — |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bit | — |
| מארז | 96-FBGA (8x14 mm) | 96FBGA (TFBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0C to +85C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per Lisleapex listing) |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| קצב נתונים | — | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |