NT6AN8T6WBJ1B1 vs MT40A512M16JY-075E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT6AN8T6WBJ1B1 بذریعہ Nanya Technology اور MT40A512M16JY-075E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | NT6AN8T6WBJ1B1 | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| برانڈ | Nanya Technology | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb (512M x 16) | 8 Gbit |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS لیٹنسی | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| خصوصیات | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |