SPW47N60C3 vs STW45NM60-H موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از SPW47N60C3 بذریعہ Infineon اور STW45NM60-H بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر SPW47N60C3 STW45NM60-H
برانڈ Infineon STMicroelectronics
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Part Number SPW47N60C3 —
Manufacturer Infineon Technologies AG —
Technology CoolMOS C3 (superjunction) MDmesh (super-junction)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 47 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 415 W —
RDS(on) (typical) 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition] —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: nanocoulombs] —
Output Capacitance Eoss @ 400V Very low (per C3 series datasheet) —
پیکیج TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole TO-247-3 (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3) -55 °C to +150 °C (TJ)
Configuration Single N-channel, 3 pins (G, D, S) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول N/A (through-hole) —
Series CoolMOS C3 (600V generation) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V (650 V at TJMAX)
Continuous Drain Current (ID) — 45 A at Tc = 25 °C
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) — 417 W at Tc = 25 °C
On-Resistance (RDS(on)) — 0.09 Ω typical at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V typical
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
dv/dt Capability — High

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں