W25M512JVEIQ vs AT45DB041D-SU موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از W25M512JVEIQ بذریعہ Winbond اور AT45DB041D-SU بذریعہ Renesas Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Winbond
W25M512JVEIQ W25M512JVEIQ - 512Mbit SPI NOR Flash 104MHz | Winbond

W25M512JVEIQ - 512Mbit SPI NOR Flash 104MHz | Winbond

W25M512JVEIQ ✓ فعال
Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر W25M512JVEIQ AT45DB041D-SU
برانڈ Winbond Renesas Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ FLASH - NOR Memory IC (Multichip Package) DataFLASH NOR
میموری سائز 512 Mbit (64 MB) —
تنظیم 64M x 8 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
انٹرفیس SPI, Dual SPI, Quad SPI SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
Max Clock Frequency 104 MHz —
Operating Voltage 3V / 3.3V —
Access Time 7 ns —
Sector Size 4KB Uniform Sector —
پیکیج 8-WSON (8mm x 6mm) with exposed pad 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: Data retention] 20 years minimum
Write Protect Hardware /WP pin —
Hold Pin /HOLD supported —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] —
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی — 66 MHz
سپلائی وولٹیج — 2.7 V to 3.6 V
SRAM Data Buffers — 2 x 264 bytes
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں