W25M512JVEIQ vs AT45DB041D-SU مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار W25M512JVEIQ توسط Winbond و AT45DB041D-SU توسط Renesas Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Winbond
W25M512JVEIQ W25M512JVEIQ - 512Mbit SPI NOR Flash 104MHz | Winbond

W25M512JVEIQ - 512Mbit SPI NOR Flash 104MHz | Winbond

W25M512JVEIQ ✓ فعال
Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر W25M512JVEIQ AT45DB041D-SU
برند Winbond Renesas Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه FLASH - NOR Memory IC (Multichip Package) DataFLASH NOR
اندازه حافظه 512 Mbit (64 MB) —
سازمان 64M x 8 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
رابط SPI, Dual SPI, Quad SPI SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
Max Clock Frequency 104 MHz —
Operating Voltage 3V / 3.3V —
Access Time 7 ns —
Sector Size 4KB Uniform Sector —
بسته‌بندی 8-WSON (8mm x 6mm) with exposed pad 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: Data retention] 20 years minimum
Write Protect Hardware /WP pin —
Hold Pin /HOLD supported —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] —
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
حداکثر فرکانس کلاک — 66 MHz
ولتاژ تغذیه — 2.7 V to 3.6 V
SRAM Data Buffers — 2 x 264 bytes
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت