2EDF9275FXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 2EDF9275FXUMA1 bằng Infineon và 1EDN7116GXTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
1EDN7116GXTMA1 - 200V Single-Channel GaN Gate Driver IC | Infineon
1EDN7116GXTMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 2EDF9275FXUMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Driver Configuration | Half-Bridge (High Side + Low Side) | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | 2 | 1 |
| Số lượng đầu ra | 2 | — |
| Source Current | 4 A | — |
| Sink Current | 8 A | — |
| Propagation Delay (Typ.) | 37 ns | — |
| Channel-to-Channel Matching | [DATA_NEEDED: channel-to-channel matching] | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 150 V/ns | — |
| Isolation Type | Functional (Galvanic, Coreless Transformer) | — |
| Input Logic Compatibility | CMOS / TTL (Non-Inverting) | — |
| Supply Voltage Range | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40 °C to +125 °C | -40 °C to +125 °C |
| Thời gian tăng lên | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| Thời gian giảm dần | 4.5 ns | — |
| Kiểu lắp đặt | SMD/SMT | — |
| Hộp | PG-DSO-16-11 (150-mil DSO-16) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| Packaging | Cut Tape, MouseReel, Reel | — |
| Optimized For | CoolSiC™ MOSFETs (Wide-Bandgap) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | [DATA_NEEDED: REACH status] | — |
| Chức năng | — | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Cấp MSL | — | MSL3 |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |