2EDF9275FXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDF9275FXUMA1 מאת Infineon ו 1EDN7116GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDF9275FXUMA1 2EDF9275FXUMA1 - 4A/8A Isolated Gate Driver | Infineon

2EDF9275FXUMA1 - 4A/8A Isolated Gate Driver | Infineon

2EDF9275FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDF9275FXUMA1 1EDN7116GXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge (High Side + Low Side) Non-inverting, single low-side
Number of Drivers 2 1
מספר יציאות 2 —
Source Current 4 A —
Sink Current 8 A —
Propagation Delay (Typ.) 37 ns —
Channel-to-Channel Matching [DATA_NEEDED: channel-to-channel matching] —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Isolation Type Functional (Galvanic, Coreless Transformer) —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL (Non-Inverting) —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VCC range] —
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
זמן עלייה [DATA_NEEDED: rise time] —
זמן ירידה 4.5 ns —
סגנון הרכבה SMD/SMT —
מארז PG-DSO-16-11 (150-mil DSO-16) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
Packaging Cut Tape, MouseReel, Reel —
Optimized For CoolSiC™ MOSFETs (Wide-Bandgap) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
REACH Status [DATA_NEEDED: REACH status] —
פונקציה — Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Peak Source Current — 2 A (typ)
Peak Sink Current — 4 A (typ)
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
סוג הרכבה — Surface Mount
רמת MSL — MSL3
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר