BSP89H6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSP89H6327XTSA1 bằng Infineon và BSP125H6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 - 240V N-Ch SIPMOS MOSFET, 350mA | Infineon

BSP89H6327XTSA1 - 240V N-Ch SIPMOS MOSFET, 350mA | Infineon

BSP89H6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon

BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon

BSP125H6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSP89H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel MOSFET, enhancement mode N-Channel MOSFET
Technology SIPMOS (planar power MOS) SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 240 V (VGS=0, ID=250 µA) —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 0.35 A —
Total Power Dissipation (Ptot) at Ta=25°C 1.8 W (on FR4 PCB, 6 cm² cooling area) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +150 °C (Tj) —
Thermal Resistance Junction-Ambient (RthJA) 70 K/W (6 cm² PCB) —
Thermal Resistance Junction-Solder Point (RthJS) 25 K/W —
Hộp PG-SOT223-4 (SOT-223, 4-pin with tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Logic-Level Gate Drive Yes (logic-level compatible) —
dv/dt Rated Yes —
ESD Protection Internal gate-source Zener —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per ordering code H6327) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP125H6327XTSA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (TJ)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement
Cấp MSL — 1 (Unlimited)
Qualification — Automotive / Industrial grade

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá