BSS214NWH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS214NWH6327XTSA1 bằng Infineon và BSP295H6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS214NWH6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) Planar N-channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Hộp PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +150 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá