H5AN8G6NAFR-RDC vs MT40A512M16JY-075E So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NAFR-RDC bằng SK hynix và MT40A512M16JY-075E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN8G6NAFR-RDC MT40A512M16JY-075E
Thương hiệu SK hynix Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
Tổ chức 512M x 16 512M x 16
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Giao diện DDR4 (JEDEC-standard) Parallel
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
Trạng thái RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) —
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Tốc độ dữ liệu — 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Hộp — 96-FBGA (8x14)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
Tính năng — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá