H5AN8G6NAFR-RDC vs MT40A512M16JY-075E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NAFR-RDC מאת SK hynix ו MT40A512M16JY-075E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NAFR-RDC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| ממשק | DDR4 (JEDEC-standard) | Parallel |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | OTHER (per Partstack listing) | — |
| Technology | CMOS | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Speed Grade | -RDC (see datasheet for bin timing) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC | — |
| Max Clock Rate | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| קצב נתונים | — | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| מארז | — | 96-FBGA (8x14) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| תכונות | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |