IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUCN10S5L110TATMA1 bằng Infineon và IAUCN10S5L280DATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Hộp PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL MSL1 (260°C peak reflow) 1
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C (junction)
Số chân — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá