IAUCN10S5L110TATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN10S5L110TATMA1 توسط Infineon و IAUCN10S5L280DATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 61 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.3 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Power Dissipation (PD) at Tc 88 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
بسته‌بندی PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled PG-TDSON-8-61 (SSO8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (260°C peak reflow) 1
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Extended Qualification —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
محدوده دمای کاری — -55C to +175C (junction)
تعداد پایه — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت