IGB30N60H3ATMA1 vs IGW30N60H3FKSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IGB30N60H3ATMA1 bằng Infineon và IGW30N60H3FKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 - 600V 60A TRENCHSTOP IGBT3 TO-247 | Infineon

IGW30N60H3FKSA1 - 600V 60A TRENCHSTOP IGBT3 TO-247 | Infineon

IGW30N60H3FKSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IGB30N60H3ATMA1 IGW30N60H3FKSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục IGBTs IGBTs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family TRENCHSTOP IGBT3 —
Collector-Emitter Voltage (VCE) 600 V —
Continuous DC Collector Current (IC, TC=25C) 60 A —
Pulsed Collector Current (ICpuls) [DATA_NEEDED: pulsed collector current value] —
Tiêu hao điện năng (Ptot) 187 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) +/- 20 V ±20 V (max)
N Nap-Emit (Vce(sat)) 1.95 V (typ, at IC=30 A, VGE=15 V) —
Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value] —
Turn-Off Time (toff) 262 ns (nominal) —
Technology Trench Field Stop —
Configuration Single IGBT —
Hộp PG-TO263-3-2 (D2PAK) TO-247 (PG-TO247-3-1) through-hole, 3 pins + tab
Kiểu lắp đặt Surface Mount Through Hole
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40C to +175C —
Storage Temperature -55C to +150C —
Terminal Form Gull Wing —
Số chân 3 (2 + Tab) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Switching Behavior MOSFET-like turn-off —
Series — TRENCHSTOP IGBT3
IGBT Type — Trench Field Stop
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCE, max) — 600 V
Continuous Collector Current (IC, TC=25°C) — 60 A
Continuous Collector Current (IC, TC=100°C) — [DATA_NEEDED: IC at TC=100°C]
Pulsed Collector Current (ICM) — [DATA_NEEDED: ICM value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 187 W
Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGE(th) typical]
VCE(sat) at IC=30 A, VGE=15 V, Tj=25°C — [DATA_NEEDED: VCE(sat) value]
Turn-Off Switching Energy (Eoff) — [DATA_NEEDED: Eoff value]
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động — -40 °C to +175 °C
Anti-Parallel Diode — None (co-packaged without diode)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá