IPT017N12NM6ATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPT017N12NM6ATMA1 bằng Infineon và ISZ019N03L5SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 - 30V 1.9mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPT017N12NM6ATMA1 | ISZ019N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| Hộp | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | — |
| Số chân | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 (<= 40V) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 1.9 mΩ (typical, ID=20A) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typical) |
| Gate-Source Voltage Rating (VGS) | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44 nC at VGS=10V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2800 pF at VDS=15V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C (TJ max) |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| RG-tested | — | 100% |