IPT017N12NM6ATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPT017N12NM6ATMA1 מאת Infineon ו ISZ019N03L5SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 - 30V 1.9mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPT017N12NM6ATMA1 | ISZ019N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| מארז | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| מספר פינים | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 (<= 40V) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 1.9 mΩ (typical, ID=20A) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typical) |
| Gate-Source Voltage Rating (VGS) | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44 nC at VGS=10V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2800 pF at VDS=15V |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C (TJ max) |
| רמת MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| RG-tested | — | 100% |