IRF9540NPBF vs IRFZ48NPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF9540NPBF bằng Infineon và IRFZ48NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF9540NPBF | IRFZ48NPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF9540NPBF | — |
| Kiểu transitor | P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | -23 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 117 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 64.7 nC | 54 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 140 W | — |
| Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | — |
| Hộp / Vỏ | TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) | — |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Process Technology | Planar HEXFET cell structure | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (Pb-free matte tin plating) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 64 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 14 mΩ (maximum) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 130 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |
| Hộp | — | TO-220AB (through-hole) |
| Technology | — | HEXFET (advanced planar) |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |
| Qualification Standard | — | Industrial market |