IRF9540NPBF vs IRFZ48NPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF9540NPBF מאת Infineon ו IRFZ48NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF9540NPBF | IRFZ48NPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF9540NPBF | — |
| סוג טרנזיסטור | P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | -23 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 117 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 64.7 nC | 54 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 140 W | — |
| טווח טמפרטורת צומת פעולה | -55 C to +175 C | — |
| מארז / Case | TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) | — |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| Process Technology | Planar HEXFET cell structure | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (Pb-free matte tin plating) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 64 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 14 mΩ (maximum) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 130 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| מארז | — | TO-220AB (through-hole) |
| Technology | — | HEXFET (advanced planar) |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |
| Qualification Standard | — | Industrial market |