IRLZ44NPBF vs IRFZ44NPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLZ44NPBF bằng Infineon và IRFZ44NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLZ44NPBF | IRFZ44NPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | 42 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 110 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.4 °C/W | — |
| Hộp | TO-220AB (through-hole, 3 leads) | TO-220AB (3-pin + tab) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Technology | HEXFET (advanced process) | HEXFET (Advanced Process) |
| Logic-Level Gate Drive | Yes (fully enhanced at VGS=5V) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 49 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 17.5 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 94 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | — | 62 C/W |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |