K9MDG08U5M vs K9QDGB8U7M So sánh

So sánh chi tiết song song của K9MDG08U5M bằng Samsung Electronics và K9QDGB8U7M bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K9QDGB8U7M K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M Unknown

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K9MDG08U5M K9QDGB8U7M
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Unknown
Kiểu bộ nhớ MLC Large Block NAND Flash NAND Flash
Density 16 Gbit (2 GB) [DATA_NEEDED: Density]
Tổ chức 16G x 8 bit [DATA_NEEDED: Organization]
Cell Type MLC (2 bits per cell) —
Supply Voltage Min 2.7 V —
Supply Voltage Max 3.6 V —
Giao diện Asynchronous x8 multiplexed address/data —
Hộp 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm —
Terminals 48 —
Circuits 1 —
Die Configuration Dual stacked —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: Page Size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: Block Size]
Page Read Time (tR) [DATA_NEEDED: tR] —
Program Time (tPROG) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Trạng thái RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Manufacturer — Samsung Electronics
Product Family — K9 NAND Flash
Loại giao diện — [DATA_NEEDED: Interface Type]
Điện áp cung cấp — [DATA_NEEDED: Supply Voltage]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance]
Read Latency — [DATA_NEEDED: Read Latency]
Package Type — BGA (surface mount)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá