MPQ2222 vs MPQ2222A So sánh
So sánh chi tiết song song của MPQ2222 bằng Central Semiconductor và MPQ2222A bằng Central Semiconductor. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Central Semiconductor
MPQ2222 - Quad NPN 40V 500mA Transistor Array | Central Semiconductor
MPQ2222 ✓ Hoạt độngCentral Semiconductor
MPQ2222A - Quad NPN 40V 500mA Transistor Array | Central Semiconductor
MPQ2222A ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MPQ2222 | MPQ2222A |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Central Semiconductor | Central Semiconductor |
| Danh mục | Transistors | Transistors |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Configuration | Quad NPN Transistor Array (4 independent devices) | General Purpose Amplifier / Switch |
| Transistor Polarity | NPN Silicon | — |
| N Nap (Vcbo) | [DATA_NEEDED: VCBO exact value, typically 60 V class per 2N2222 family - verify in datasheet] | 75 V |
| Collector-Emitter Voltage Rating | 40 V | — |
| N Nap-cơ sở (Vebo) | [DATA_NEEDED: VEBO exact value] | 6.0 V |
| Continuous Collector Current (per device) | 500 mA | — |
| Tần số chuyển đổi (ft) | 200 MHz | — |
| Power Dissipation (total package) | 650 mW | 650 mW |
| Power Dissipation (per transistor) | [DATA_NEEDED: per-transistor dissipation value] | — |
| DC Current Gain (hFE) | [DATA_NEEDED: hFE min/typ, higher in MPQ2222A grade] | [DATA_NEEDED: DC Current Gain (hFE)] |
| Operating and Storage Junction Temperature | [DATA_NEEDED: exact TJ range from datasheet] | [DATA_NEEDED: Operating and Storage Junction Temperature] |
| Thermal Resistance (total package) | [DATA_NEEDED: thermal resistance value] | [DATA_NEEDED: Thermal Resistance (total package)] |
| Hộp | 14-pin DIP (TO-116), Through Hole | TO-116 (14-pin DIP, through hole) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Marking | Full part number | — |
| Trạng thái RoHS | Lead-free (PB Free suffix version available) | — |
| Kiểu transitor | — | Quad NPN General Purpose BJT Array |
| Number of Transistors | — | 4 (independent) |
| N Nap-Emit (Vceo) | — | 40 V |
| Continuous Collector Current | — | 500 mA |
| Transition Frequency | — | 200 MHz |
| Base Technology | — | Bipolar (BJT) |
| Polarity | — | NPN |
| Lead-Free | — | Yes (PBFREE) |