MRF8P20161HSR3 vs MRF8P20160HSR3 So sánh
So sánh chi tiết song song của MRF8P20161HSR3 bằng NXP Semiconductors và MRF8P20160HSR3 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
NXP Semiconductors
MRF8P20161HSR3 - 37W 1880-2025MHz RF Power MOSFET | NXP
MRF8P20161HSR3 ✓ Hoạt độngNXP Semiconductors
MRF8P20160HSR3 - 37W RF Power MOSFET 1880-2025 MHz | NXP
MRF8P20160HSR3 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MRF8P20161HSR3 | MRF8P20160HSR3 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Kiểu transitor | N-Channel Lateral MOSFET (RF Power) | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Frequency Range | 1880 MHz to 2025 MHz | — |
| Drain Supply Voltage (Vdd) | 28 V | — |
| Average Output Power | 37 W (W-CDMA) | — |
| Small-Signal Gain | 16.4 dB at 1.92 GHz | — |
| Quiescent Drain Current (Idq) | 550 mA | — |
| Test Frequency | 1.92 GHz | 1.92 GHz |
| Operating Class | Class AB or Class C | Class AB or Class C |
| Hộp | NI-780S-4 (NI-780HS-4) ceramic air-cavity, surface mount | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface mount with screw-down flange | — |
| Polarity / Channel | N-Channel enhancement-mode lateral | — |
| Modulation Support | W-CDMA, LTE, multi-carrier GSM | — |
| Application | CDMA / cellular base station RF power amplifier | W-CDMA / LTE / TD-SCDMA base-station PA |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Mode | Enhancement mode | — |
| Part Number | — | MRF8P20160HSR3 |
| Technology | — | HV8 lateral RF MOSFET |
| Frequency Band | — | 1880 MHz to 2025 MHz |
| Output Power (Average) | — | 37 W (Single-Carrier W-CDMA) |
| Drain Supply Voltage (VDD) | — | 28 Vdc |
| Quiescent Drain Current (IDQA) | — | 550 mA |
| Power Gain (Typ) | — | 16.5 dB at 1.92 GHz |
| Hộp / Vỏ | — | NI-780S-4 (ceramic flanged) |
| Kiểu lắp đặt | — | Screw-down flange (through-hole) |
| Junction Temperature (Max) | — | 200 C (S-prefix sample-tested) |
| Lead Finish | — | [DATA_NEEDED: lead finish] |