MRF8P20161HSR3 vs MRF8P20160HSR3 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF8P20161HSR3 بواسطة NXP Semiconductors و MRF8P20160HSR3 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRF8P20161HSR3 MRF8P20161HSR3 - 37W 1880-2025MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8P20161HSR3 - 37W 1880-2025MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8P20161HSR3 ✓ نشط
NXP Semiconductors
MRF8P20160HSR3 MRF8P20160HSR3 - 37W RF Power MOSFET 1880-2025 MHz | NXP

MRF8P20160HSR3 - 37W RF Power MOSFET 1880-2025 MHz | NXP

MRF8P20160HSR3 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MRF8P20161HSR3 MRF8P20160HSR3
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
نوع الترانزستور N-Channel Lateral MOSFET (RF Power) N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frequency Range 1880 MHz to 2025 MHz —
Drain Supply Voltage (Vdd) 28 V —
Average Output Power 37 W (W-CDMA) —
Small-Signal Gain 16.4 dB at 1.92 GHz —
Quiescent Drain Current (Idq) 550 mA —
Test Frequency 1.92 GHz 1.92 GHz
Operating Class Class AB or Class C Class AB or Class C
العلبة NI-780S-4 (NI-780HS-4) ceramic air-cavity, surface mount —
نوع التركيب Surface mount with screw-down flange —
Polarity / Channel N-Channel enhancement-mode lateral —
Modulation Support W-CDMA, LTE, multi-carrier GSM —
Application CDMA / cellular base station RF power amplifier W-CDMA / LTE / TD-SCDMA base-station PA
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Operating Mode Enhancement mode —
Part Number — MRF8P20160HSR3
Technology — HV8 lateral RF MOSFET
Frequency Band — 1880 MHz to 2025 MHz
Output Power (Average) — 37 W (Single-Carrier W-CDMA)
Drain Supply Voltage (VDD) — 28 Vdc
Quiescent Drain Current (IDQA) — 550 mA
Power Gain (Typ) — 16.5 dB at 1.92 GHz
العلبة / الحالة — NI-780S-4 (ceramic flanged)
نمط التركيب — Screw-down flange (through-hole)
Junction Temperature (Max) — 200 C (S-prefix sample-tested)
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر