MRF8P20161HSR3 vs MRF8P20160HSR3 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MRF8P20161HSR3 توسط NXP Semiconductors و MRF8P20160HSR3 توسط NXP Semiconductors. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

NXP Semiconductors
MRF8P20161HSR3 MRF8P20161HSR3 - 37W 1880-2025MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8P20161HSR3 - 37W 1880-2025MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8P20161HSR3 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF8P20160HSR3 MRF8P20160HSR3 - 37W RF Power MOSFET 1880-2025 MHz | NXP

MRF8P20160HSR3 - 37W RF Power MOSFET 1880-2025 MHz | NXP

MRF8P20160HSR3 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MRF8P20161HSR3 MRF8P20160HSR3
برند NXP Semiconductors NXP Semiconductors
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
نوع ترانزیستور N-Channel Lateral MOSFET (RF Power) N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frequency Range 1880 MHz to 2025 MHz —
Drain Supply Voltage (Vdd) 28 V —
Average Output Power 37 W (W-CDMA) —
Small-Signal Gain 16.4 dB at 1.92 GHz —
Quiescent Drain Current (Idq) 550 mA —
Test Frequency 1.92 GHz 1.92 GHz
Operating Class Class AB or Class C Class AB or Class C
بسته‌بندی NI-780S-4 (NI-780HS-4) ceramic air-cavity, surface mount —
نوع نصب Surface mount with screw-down flange —
Polarity / Channel N-Channel enhancement-mode lateral —
Modulation Support W-CDMA, LTE, multi-carrier GSM —
Application CDMA / cellular base station RF power amplifier W-CDMA / LTE / TD-SCDMA base-station PA
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Operating Mode Enhancement mode —
Part Number — MRF8P20160HSR3
Technology — HV8 lateral RF MOSFET
Frequency Band — 1880 MHz to 2025 MHz
Output Power (Average) — 37 W (Single-Carrier W-CDMA)
Drain Supply Voltage (VDD) — 28 Vdc
Quiescent Drain Current (IDQA) — 550 mA
Power Gain (Typ) — 16.5 dB at 1.92 GHz
بسته‌بندی / کیس — NI-780S-4 (ceramic flanged)
سبک نصب — Screw-down flange (through-hole)
Junction Temperature (Max) — 200 C (S-prefix sample-tested)
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت