K3K8K80BM-MGCP vs K3LK8K80CM-MFCP 比較

詳細並排比較 K3K8K80BM-MGCP 由 Samsung Electronics 與 K3LK8K80CM-MFCP 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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K3K8K80BM-MGCP K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3K8K80BM-MGCP ✓ 啟用中
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K3LK8K80CM-MFCP K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP ✓ 啟用中

規格比較

參數 K3K8K80BM-MGCP K3LK8K80CM-MFCP
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 LPDDR5 SDRAM (DRAM) LPDDR5 SDRAM
Density 64 Gb 48 Gbit (6 GB)
組織 2G x 32 [DATA_NEEDED: organization (x width)]
資料速率 6400 Mbps —
介面 LPDDR5 (CMOS) LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface)
封裝 FBGA-315 (PBGA315) 315-ball FBGA (MFCP)
Supply Voltages 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V —
工作溫度 -25C to +85C -40 C to +105 C (automotive-grade)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Memory Category Volatile DRAM —
RoHS 狀態 Compliant unknown
Lead Free Yes —
Application Class Specialized ICs / Memory —
I/O Width 32-bit —
Pin Speed — 6400 Mbps
Data Rate (package) — 51.2 GB/s (family max)
Ball Count — 315
供應電壓 — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage]
Power Saving vs LPDDR4X — Approximately 20%
Generation — LPDDR5 (5th generation low-power DRAM)
Application Grade — Automotive-grade storage chip
Place of Origin — Johor, Malaysia

資料表與資源

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