1EDI3033ASXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDI3033ASXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDI3033ASXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Isolated single-channel gate driver —
Technology Coreless transformer isolation —
Output Current (Source/Sink) 12 A typical —
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms —
Number of Channels 1 —
Propagation Delay 60 ns typical —
Target Power Device SiC MOSFET, IGBT —
العلبة PG-DSO-20-91 (wide-body) PG-DSO-8 (DSO-8)
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Short-Circuit Protection DESAT with programmable blanking —
Miller Clamp Active Miller clamp integrated —
Bootstrap Diode Integrated —
Functional Safety ISO 26262 ASIL D ready —
Creepage Distance 8 mm (typical for wide-body DSO-20) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Compliance RoHS compliant —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
عدد المخارج — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر