1EDI3033ASXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 1EDI3033ASXUMA1 bằng Infineon và 1ED3124MC12HXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
1EDI3033ASXUMA1 - 12A SiC MOSFET Gate Driver, 5700Vrms | Infineon
1EDI3033ASXUMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 1EDI3033ASXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Chức năng | Isolated single-channel gate driver | — |
| Technology | Coreless transformer isolation | — |
| Output Current (Source/Sink) | 12 A typical | — |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5700 Vrms | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Propagation Delay | 60 ns typical | — |
| Target Power Device | SiC MOSFET, IGBT | — |
| Hộp | PG-DSO-20-91 (wide-body) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| Short-Circuit Protection | DESAT with programmable blanking | — |
| Miller Clamp | Active Miller clamp integrated | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Functional Safety | ISO 26262 ASIL D ready | — |
| Creepage Distance | 8 mm (typical for wide-body DSO-20) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Compliance | RoHS compliant | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Số lượng đầu ra | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Thời gian tăng lên | — | 15 ns |
| Thời gian giảm dần | — | 30 ns |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |