1EDI3033ASXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDI3033ASXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDI3033ASXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Isolated single-channel gate driver —
Technology Coreless transformer isolation —
Output Current (Source/Sink) 12 A typical —
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms —
Number of Channels 1 —
Propagation Delay 60 ns typical —
Target Power Device SiC MOSFET, IGBT —
Paket PG-DSO-20-91 (wide-body) PG-DSO-8 (DSO-8)
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Short-Circuit Protection DESAT with programmable blanking —
Miller Clamp Active Miller clamp integrated —
Bootstrap Diode Integrated —
Functional Safety ISO 26262 ASIL D ready —
Creepage Distance 8 mm (typical for wide-body DSO-20) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Compliance RoHS compliant —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
Çıkış Sayısı — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
Artış Süresi — 15 ns
Düşüş Süresi — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin