1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDI60H12AHXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED020I12B2XUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDI60H12AHXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Single-channel high-side gate driver IC —
Isolation Technology Galvanic isolation via coreless transformer Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage Rating 1200 V —
Number of Channels 1 1
Peak Source Current (typ.) 10.0 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.4 A —
تكوين الخرج Separate source and sink (SEP) outputs —
Input Compatibility CMOS / TTL logic —
Driven Device IGBT (and MOSFET / SiC compatible) —
العلبة PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Creepage Distance 8 mm 8 mm
Short-Circuit Protection Short-circuit clamping —
مستوى MSL 2 (1 year floor life) MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] -40 °C to +125 °C
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Isolation Voltage (Vrms) — 4500 Vrms
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Compliance — RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر