1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDI60H12AHXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED020I12B2XUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDI60H12AHXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Single-channel high-side gate driver IC —
Isolation Technology Galvanic isolation via coreless transformer Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage Rating 1200 V —
Number of Channels 1 1
Peak Source Current (typ.) 10.0 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.4 A —
Çıkış Konfigürasyonu Separate source and sink (SEP) outputs —
Input Compatibility CMOS / TTL logic —
Driven Device IGBT (and MOSFET / SiC compatible) —
Paket PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Creepage Distance 8 mm 8 mm
Short-Circuit Protection Short-circuit clamping —
MSL Seviyesi 2 (1 year floor life) MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] -40 °C to +125 °C
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Isolation Voltage (Vrms) — 4500 Vrms
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Compliance — RoHS compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin