1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDI60H12AHXUMA1 توسط Infineon و 1ED020I12B2XUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDI60H12AHXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Single-channel high-side gate driver IC —
Isolation Technology Galvanic isolation via coreless transformer Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage Rating 1200 V —
Number of Channels 1 1
Peak Source Current (typ.) 10.0 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.4 A —
پیکربندی خروجی Separate source and sink (SEP) outputs —
Input Compatibility CMOS / TTL logic —
Driven Device IGBT (and MOSFET / SiC compatible) —
بسته‌بندی PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Creepage Distance 8 mm 8 mm
Short-Circuit Protection Short-circuit clamping —
سطح MSL 2 (1 year floor life) MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant —
دمای کاری -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] -40 °C to +125 °C
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Isolation Voltage (Vrms) — 4500 Vrms
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Compliance — RoHS compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت