1EDN7136UXTSA1 vs 2EDN8533RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7136UXTSA1 بواسطة Infineon و 2EDN8533RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7136UXTSA1 2EDN8533RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
عدد المخارج 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) Yes (VCC UVLO)
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature]
العلبة TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-TSSOP-8 (exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family convention) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Type — Dual-channel low-side gate driver IC
Driver Configuration — Low-side, dual independent channels
Peak Source/Sink Current — 5 A per channel
Number of Channels — 2
Input Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance (absolute max) — -12 V to +22 V
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC operating range]
Output Resistance — Low (per datasheet; see SG figure)
Propagation Delay — Matched between channels (excellent timing accuracy)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر