1EDN7136UXTSA1 vs 2EDN8533RXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7136UXTSA1 توسط Infineon و 2EDN8533RXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7136UXTSA1 2EDN8533RXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) Yes (VCC UVLO)
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
محدوده دمای کاری -40 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature]
بسته‌بندی TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-TSSOP-8 (exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes (per Infineon product family convention) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Type — Dual-channel low-side gate driver IC
Driver Configuration — Low-side, dual independent channels
Peak Source/Sink Current — 5 A per channel
Number of Channels — 2
Input Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance (absolute max) — -12 V to +22 V
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC operating range]
Output Resistance — Low (per datasheet; see SG figure)
Propagation Delay — Matched between channels (excellent timing accuracy)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت